始めは、SLC(高級・超高速)とMLC(安価・高速)でしたが最近TCLというのが出てきました。
■SSDとは通常のメモリは、電源を切ると内容が消えてしまいます。
NANDフラッシュメモリ=TOSHIBAが開発した不揮発性メモリ=電気が通電していなくてもデータを保持可能なメモリ=SSD
そこで電源を切っても消えないフラッシュメモリが開発されました。
フラッシュメモリの欠点は、
①書き込みに回数制限がある
②動作速度が遅い
③大容量が作れない
上記欠点を改良して 出来たのがSSDです。
■NANDフラッシュメモリの記録方式
セルと呼ばれる回路構成内に電子を注入/取り出しを行うことで[0][1]の情報を作り出す。
■SLC(Single Level Cell)
1セルに1bitの情報を保存する方式。セルに対し1bitなので当然容量単価は高い。
しかしシンプルな作りなのでエラーも起きづらく性能も高い。
■MLC(Multi Level Cell)
1セルに2bit以上の情報を保存する方式。セルに対し2bit以上なのでSLCと比べ容量単価は安い。
しかしセル毎の状態のパターンが増える分エラーが起きやすくなり、エラー訂正機能等のリカバリーが必要。性能はSLCより下。ただしコントローラ次第で化ける。
■TLC(Triple Level Cell)
1セルに3bitの情報を保存する方式。早い話がMLCの3bit名指し版。
ただし市場のMLC製品=2bitが現状なのでこの場合更にセルに対して1bit追加した形。
ただしその分エラーが起きやすくなり、エラー訂正機能等のリカバリーが必要。性能はSLCより下。ただしコントローラ次第で化ける。
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